MOS管在使用過程中的建議

發布日期：2019-07-20 瀏覽：1374

我們在使用MOS管的過程中容易因為擊穿和靜電產生不良，下面是合芯半導體對客戶的一些建議。
1. 標注的Id電流是MOS芯片的最大工作電流，實際使用時的最大工作電流還要受封裝的最大電流限制。因此客戶設計產品時的最大使用電流設定要考慮封裝的最大電流限制。建議客戶設計產品時的最大使用電流設定更重要的是要考慮MOS的內阻參數。我們建議客戶使用60%以內電流防止發熱損壞器件，比如，標注是10A客戶在6A內使用。
2. 建議在MOS的柵源（G/S）極之間并一個電阻（比如10K）和一個穩壓二極管(5V-12V)起到保護柵源（G/S）極過壓的作用。
3.建議MOS管的盡量提高開啟電壓，這樣才能充分開啟導通MOS管，這個時候內阻小，不容易發燙。一般建議低壓MOS的VGS開啟電壓設定為4.5V以上，中高壓MOS的開啟電壓設定為10V以上.
4.MOS 電路操作注意事項：
靜電在很多地方都會產生，采取下面的預防措施，可以有效防止MOS 電路由于受靜電放電影響而引起的損壞：
? 操作人員要通過防靜電腕帶接地。
? 設備外殼必須接地。
? 裝配過程中使用的工具必須接地。
? 必須采用導體包裝或抗靜電材料包裝或運輸

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